計畫名稱：成長於超薄型高電阻碳化矽基板之大電流氮化鎵高電子遷移率場效電晶體的研製

申請機構：環球晶圓股份有限公司

學研機構：國立清華大學

計畫年度：111

計畫摘要：本計畫實施目的在於高功率應用產品之磊晶與元件技術開發，發展使用超薄碳化矽基板與薄化磊晶結構，但具備高耐壓及極佳散熱特性之GaN-on-SiC 增強型功率元件之關鍵材料暨元件。 主要的核心關鍵技術包括有： 1. 薄型超平坦碳化矽晶圓加工技術。 2. 薄化高耐壓高品質GaN 磊晶技術。 3. 高活化高均勻性之p-GaN 磊晶技術。 4. 高效率超薄型碳化矽晶圓無應力加工技術。 5. 高品質AlN 濺鍍薄膜沉積在碳化矽晶圓開發。 6. 建立精準的p-GaN 蝕刻技術。 7. 設計最佳化的閘極-汲極距離(LGD)。 8. 製作指叉型元件。 9. Pulse I-V特性量測技術。 透過環球晶圓在碳化矽基板的深厚經驗與核心技術，發展投入氮化鎵磊晶技術，配合兆遠科技之無應力加工與高品質AlN結構，並結合學術單位國立清華大學吳孟奇教授之專業共同進行開發，可以產生的主要效益包括： 1.藉由高品質 AlN與磊晶技術， 開發薄化高耐壓之磊晶結構，具有高品質結晶特性而達到極佳動態特性之功率元件。 2.使用薄化碳化矽基板，作為極佳的熱傳導材料，使開發之元件具有高溫穩定特性，更適合高功率條件應用。